上海集成电路创新中心申请沟槽电容结构的制造方法专利，改善制造沟槽电容结构过程中的凝结状缺陷以提高良率 国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“沟槽电容结构的制造方法”的专利，公开号CN12...
