国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN121038274A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置可包括：外围电路；第一栅极结构，其设置在外围电路上；第二栅极结构，其设置在第一栅极结构上；介电接合结构，其在第一栅极结构和第二栅极结构之间延伸；第一接触通孔，其延伸穿过第一栅极结构并延伸到介电接合结构中；第二接触通孔，其延伸穿过第二栅极结构并且连接到第一接触通孔；以及外围电路接合结构，其将第一接触通孔和外围电路彼此电连接。

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